ייצור Dolphin0606FDI הוא גלאי רנטגן שטוח מסוג קבוע ועם רעש נמוך המבוסס על CMOS.חיישני CMOS משתמשים בתהליך סיליקון קריסטל יחיד לייצור שבבים.הגברה אינטגרלית ישירה בתוך תאי פיקסל מובילה לרעש אלקטרוני נמוך יותר, יחס אות לרעש גבוה יותר ויעילות זיהוי קוונטי (DQE) גבוהה יותר מסיליקון אמורפי, כך שחיישני CMOS מתאימים במיוחד לתרחישי הדמיה במינון נמוך.בהתבסס על המאפיינים לעיל, ניתן להשתמש בגלאי Dolphin0606FDI באופן נרחב בבדיקת SMT תעשייתית, אלקטרוניקה, סוללת ליתיום ובדיקת חיבור חוטי שבב.
הרעש האלקטרוני נמוך יותר
יחס אות לרעש גבוה יותר
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | |
| חיישן | CMOS |
| Scintillator | CSI |
| אזור פעיל | 60 x 53.5 מ"מ |
| פיקסל מטריקס | 1200 x 1056 |
| Pixel Pitch | 50 מיקרומטר |
| המרת AD | 14 ביטים |
| מִמְשָׁק | |
| ממשק תקשורת | סיב אופטי |
| שליטה בחשיפה | סנכרון דופק (Edge או Level) / Pulse Sync Out (Edge או Level) |
| מצב עבודה | מצב תוכנה / מצב סנכרון HVG / מצב סנכרון FPD |
| מהירות מסגרת | 51fps (1x1) |
| מערכת הפעלה | מערכת ההפעלה Windows7 / Windows10 32 סיביות או 64 סיביות |
| ביצועים טכניים | |
| פתרון הבעיה | 10.0 lp/mm |
| טווח אנרגיה | 40~160 KV |
| לְפַגֵר | 0.01% @פריים ראשון |
| טווח דינמי | ≥ 73dB |
| רְגִישׁוּת | 100 lbs/uGy |
| SNR | 48 dB @(20000lsb) |
| MTF | 90% @(1 lp/mm) |
| 82% @(2 lp/mm) | |
| 74% @(3 lp/mm) | |
| DQE (2uGy) | 65% @(0 lp/mm) |
| 48% @(1 lp/mm) | |
| 37% @(2 lp/mm) | |
| מֵכָנִי | |
| מידות (H x W x D) | 171 x 171 x 37 מ"מ |
| מִשׁקָל | 2.8 ק"ג |
| חומר הגנת חיישן | סיבי פחמן |
| חומר דיור | סגסוגת אלומיניום |
| סְבִיבָתִי | |
| טווח טמפרטורות | 10~35°℃ (הפעלה);-10~50℃ (אחסון) |
| לחות | 30~70% RH (לא מתעבה) |
| רֶטֶט | IEC/EN 60721-3 class 2M3(10~150 הרץ, 0.5 גרם) |
| הֶלֶם | IEC/EN 60721-3 class 2M3(11 ms,2 גרם) |
| עמיד בפני אבק ומים | IPX0 |
| כּוֹחַ | |
| לְסַפֵּק | 100~240 VAC |
| תדירות | 50/60 הרץ |
| צְרִיכָה | 6 W |
| יישום | |
| תַעֲשִׂיָתִי | SMT, אלקטרוניקה, סוללת ליתיום בדיקת הדבקת חוט שבב |
| מימד מכני | |