Dolphin0606FDI 产品是一款基于 CMOS 的固定式低噪声 X 射线平板探测器。CMOS 传感器使用单晶硅工艺进行芯片制造。像素单元内的直接积分放大导致比非晶硅更低的电子噪声、更高的信噪比和更高的量子检测效率（DQE），因此 CMOS 传感器特别适用于低剂量成像场景。基于以上特点，Dolphin0606FDI 探测器可广泛应用于工业SMT、电子、锂电池、芯片引线键合检测等应用场景。
电子噪音更低
更高的信噪比
| 技术 | |
| 传感器 | 互补金属氧化物半导体 |
| 闪烁体 | 碘化铯 |
| 有效区域 | 60 x 53.5 mm |
| 像素矩阵 | 1200×1056 |
| 像素大小 | 50 μm |
| AD 量化深度 | 14 bits |
| 对外接口 | |
| 通讯接口 | 光纤接口 |
| 曝光控制接口 | 脉冲同步输入（边沿或电平）/脉冲同步输出（边沿或电平） |
| 工作模式 | 软件模式 / HVG 同步模式 / FPD 同步模式 |
| 帧速度 | 51 帧/秒 (1x1) |
| 操作系统 | Windows7 / Windows10 OS 32 bits or 64 bits |
| 性能 | |
| 空间分辨率 | 10.0 lp/mm |
| 能量范围 | 40~160 KV |
| 残影 | 0.01% @1st frame |
| 动态范围 | ≥ 73dB |
| 灵敏度 | 100 lsb/uGy |
| 信噪比 | 48 dB @ (20000lsb) |
| 调制传递函数 | 90% @(1 lp/mm) |
| 82% @(2 lp/毫米) | |
| 74% @(3 lp/毫米) | |
| 量子转化率 | 65% @(0 lp/mm) |
| 48% @(1 lp/mm) | |
| 37% @(2 LP/毫米) | |
| 结构 | |
| 尺寸规格（长 x 宽 x 高） | 171 x 171 x 37 mm |
| 重量 | 2.8 Kg |
| 传感器保护面 | 碳纤维 |
| 结构材质 | 铝合金 |
| 环境 | |
| 温度范围 | 10~35℃（工作）；-10~50℃(储存) |
| 湿度范围 | 30~70% RH（非凝结） |
| 振动 | IEC/EN 60721-3 2M3级(10~150 Hz,0.5 g) |
| 跌落 | IEC/EN 60721-3 class 2M3(11 ms,2 g) |
| 防尘防水 | IPX0 |
| 电源 | |
| 电源 | 100~240VAC |
| 频率 | 50/60 Hz |
| 功耗 | 6 W |
| 应用 | |
| 工业的 | SMT、电子、锂电池 芯片引线键合检测 |
| 结构尺寸 | |